六方氮化硼石墨烯平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)

氮化硼生產(chǎn)廠家的小編今天給大家介紹一下關(guān)于六方氮化硼石墨烯平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)相關(guān)介紹，石墨烯和氮化硼具有相似的結(jié)構(gòu)，但電性能差異很大。氮化硼是一種白色，疏松，柔軟，光滑的粉末。而石墨烯自十多年前發(fā)明以來，石墨烯就吸引了科學家。他是僅僅只有一個原子厚度的碳元素材料，具有出色的電子性能，強度，超輕的重量以及越來越廣泛的用途。石墨烯是極好的導體，六水合硼是很好的絕緣體，可阻止電子流動。將它們放在一起，將獲得高質(zhì)量的半導體。

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，石墨烯/六方氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)平面研究取得了進展，研究團隊的研究員謝曉明以化學氣相沉積（CVD）法成功研制成功單原子層質(zhì)量的石墨烯/六方氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)平面及其在WSe2/MoS2二維光電探測器中的成功應用。

石墨烯和六方氮化硼（H-BN）具有相似的結(jié)構(gòu)，但電特性不同。石墨烯/六水硼化硼平面異質(zhì)結(jié)由于其在基礎(chǔ)研究和器件探索中的潛力而備受關(guān)注。石墨烯/H-BN平面異質(zhì)結(jié)通常通過依次沉積石墨烯和H-BN或以相反順序制備。由于后續(xù)膜的成核控制困難并且反應氣體在生長過程中容易破壞先前的膜，因此石墨烯/H-BN平面異質(zhì)結(jié)的質(zhì)量在當前文獻中并不令人滿意。上海微系統(tǒng)信息功能材料國家重點實驗室的盧光遠和吳天如等人，通過先沉積H-BN單晶，然后生長石墨烯，成功制備了高質(zhì)量的石墨烯/H-BN平面異質(zhì)結(jié)，基于高質(zhì)量H-BN襯底和石墨烯薄膜的研究基礎(chǔ)。由于石墨烯在銅-鎳合金上的生長速度極快，因此較短的石墨烯沉積時間減少了石墨烯膜生長過程中對H-BN膜的損害。同時，由于Cu/Ni合金的優(yōu)異催化能力，消除了石墨烯的無規(guī)成核，同時提高了氮化硼單晶的晶體質(zhì)量，因此石墨烯的晶疇僅在三角形H的頂角成核。-BN單晶域并沿h-BN邊緣取向生長。小組和團隊合作，例如美國萊斯大學的JunLou教授使用合作培訓博士課程，在高質(zhì)量的石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)平面中，以石墨烯為接觸電極，以h-BN作為絕緣襯底，制備了WSe2/MoS2二維光電探測器的研制，驗證了石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)平面的質(zhì)量和電性能，基于異質(zhì)結(jié)材料平臺進行了基礎(chǔ)研究和二維邏輯集成電路的應用提供了基礎(chǔ)。
這項工作得到了科技部的一項重大項目“晶圓級石墨烯電子材料和器件的研究”以及中國科學院和上海市科學技術(shù)委員會的相關(guān)研究項目的支持。
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