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    氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池

    文章出處: 天元航材    責(zé)任編輯: 天元化工新材廠家    發(fā)布時間:2018-11-05 17:46:28    點(diǎn)擊數(shù):90    【
    [導(dǎo)讀]: 法國一個半導(dǎo)體研究小組利用氮化硼分離層來生長氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池,然后將其從原來的藍(lán)寶石襯底上提起并放置在玻璃襯底上。

    氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池

    法國一個半導(dǎo)體研究小組利用氮化硼分離層來生長氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池,然后將其從原來的藍(lán)寶石襯底上提起并放置在玻璃襯底上。

    通過將氮化銦鎵電池與由硅或砷化鎵等材料制成的光伏(PV)電池結(jié)合,新的剝離技術(shù)能夠促進(jìn)更高效率的能夠捕獲更廣的光譜的混合光伏器件的制造。這樣的混合結(jié)構(gòu)可以在理論上提高氮化銦鎵/硅串列器件的太陽能電池效率高達(dá)30%。

    六方氮化硼

    該技術(shù)可有助于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)太陽能電池時,提高效率,降低成本,能夠用于廣泛的地面和空間應(yīng)用。研究人員在文章中寫道:“這種向外國襯底轉(zhuǎn)移氮化銦鎵基太陽能電池,同時提高性能的示范代表了朝著輕質(zhì)、低成本和高效率光伏應(yīng)用的重大進(jìn)步。”

    “利用這種技術(shù),我們可以加工氮化銦鎵太陽能電池,并在底部設(shè)置一個電介質(zhì)層,只收集短波長,”Ougazzaden解釋道。“較長的波長可以通過它進(jìn)入底部電池。通過使用這種方法,我們可以分別優(yōu)化每個表面。”

    研究人員在約1300攝氏度的MOVPE(金屬有機(jī)物汽相外延)工藝下,通過在兩英寸藍(lán)寶石晶片上生長氮化硼單層,開始了這一過程。氮化硼表面涂層只有幾納米厚,并且產(chǎn)生具有強(qiáng)平面連接但弱垂直連接的晶體結(jié)構(gòu)。

    氮化銦鎵以微弱的范德華力附著在氮化硼上,允許太陽能電池在晶片上生長,并且在沒有損壞的情況下被移除。到目前為止,晶片單位已經(jīng)手動從藍(lán)寶石中去除,但是Ougazzaden相信轉(zhuǎn)移過程可以自動化,以降低雜交生產(chǎn)晶片的成本。


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