氮化硼薄膜

場(chǎng)發(fā)射特性的發(fā)展速度很快，目前碳納米管場(chǎng)發(fā)射已經(jīng)不是一個(gè)新的研究項(xiàng)目。隨著人造金剛石氮化硼薄膜的誕生。利用其類(lèi)似金剛石的特性，且能夠形成均勻、平坦的氮化硼膜。為封裝電子設(shè)備和平面場(chǎng)發(fā)射器提供了優(yōu)越的條件。

尤其是立方氮化硼具有寬帶隙、高熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性能和表面負(fù)電子親和勢(shì)，且硬度極高，僅次于金剛石，因而具備大面積發(fā)射穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)和低開(kāi)啟電壓的突出優(yōu)點(diǎn)。

很多人利用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法、離子束輔助沉積、離子鍍、濺射沉積等各種物理和化學(xué)氣相沉積方法在真空條件下可獲得氮化硼或含氮化硼相的膜/我們利用磁控濺射方法，在基底加偏壓和加熱470攝氏度的情況下制備納米氮化硼薄膜。

磁控濺射方法制備的氮化硼薄膜有較穩(wěn)定的場(chǎng)發(fā)射特性，發(fā)射特性與膜厚和沉積時(shí)基底偏壓有關(guān)，基底加160V偏壓的氮化硼薄膜場(chǎng)發(fā)射開(kāi)啟電場(chǎng)最低?；姿悠珘合嗤瑫r(shí)，在納米薄膜的情況下，存在一最佳厚度，此時(shí)開(kāi)啟電場(chǎng)最低。這是因?yàn)榛睾偷鸬墓瘮?shù)不同，它們間存在界面電子轉(zhuǎn)移，界面電子轉(zhuǎn)移有一定厚度，使本不導(dǎo)電的氮化硼薄膜在納米厚度范圍（100納米）內(nèi)有一定的電子分布，從而在基底與氮化硼薄膜之間建立電子傳輸通道，電子在外電場(chǎng)的作用下隧穿表面勢(shì)壘，發(fā)射到真空。